邁入八月，多座芯片廠迎來最新進(jìn)展。塔塔在印度投資32.2億美元動工建設(shè)IC后端工廠，并于8月3日舉行了奠基儀式；臺積電證實德國廠將于8月20日動土，旨在滿足歐盟對汽車和工業(yè)芯片本地化的需求；英特爾俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元，為了持續(xù)推進(jìn)英特爾IDM 2.0戰(zhàn)略，其宣布了一系列降低成本重大措施；英飛凌宣布號稱“全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠”居林廠八月即將迎來晶圓廠落成典禮。

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塔塔在印度投資32.2億美元動工建設(shè)IC后端工廠

近日，塔塔電子開始在印度東部的阿薩姆邦建設(shè)其首個集成電路（IC）后端工廠，這是印度在建立本地芯片制造生態(tài)系統(tǒng)道路上的一個里程碑。

據(jù)悉，塔塔已開始在阿薩姆邦建設(shè)一個半導(dǎo)體制造部門，并于8月3日舉行了奠基儀式。該工廠涉及2700億印度盧比（32.2億美元）的投資，預(yù)計將創(chuàng)造15000個直接就業(yè)崗位和11000~13000個間接就業(yè)崗位。

該工廠預(yù)計將于2025年投入運營，并將滿足汽車和移動設(shè)備等行業(yè)的需求。該工廠還將專注于先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，包括印度開發(fā)的引線鍵合、倒裝芯片和集成系統(tǒng)級封裝（I-SIP）技術(shù)。

據(jù)報道，塔塔集團(tuán)董事長N Chandrasekaran表示：“考慮到我們想要快速行動，我們正在努力加快這座工廠的建設(shè)。我們希望在2025年的某個時候，能夠完成部分設(shè)施建設(shè)并迅速開始運營。”

02
臺積電證實德國廠將于8月20日動土

7月30日臺積電證實，將于8月20日舉行德國新廠動土典禮，并接續(xù)展開整地作業(yè)，預(yù)計今年年底前動工興建，目標(biāo)2027年底開始生產(chǎn)。據(jù)悉，臺積電董事長兼總裁魏哲家將率公司代表團(tuán)赴德出席本次活動，親自主持儀式并會見上游供應(yīng)商、下游客戶與德國政府官員。

圖片來源：拍信網(wǎng)

此前公開消息顯示，德國該新工廠將被稱為歐洲半導(dǎo)體制造公司（ESMC），臺積電將持有新工廠70%股份，合作方德國博世、英飛凌和荷蘭芯片制造商恩智浦各持股10%。ESMC的首任總裁將是前博世德累斯頓晶圓廠廠長斯蒂安科伊茨施（Christian Koitzsch）。該晶圓廠將聚焦車用和工業(yè)用芯片，旨在滿足歐盟對汽車和工業(yè)芯片本地化的需求。具體工藝為28/22nm平面CMOS、16/12nm FinFET等成熟制程，預(yù)計于2027年實現(xiàn)量產(chǎn)，月產(chǎn)能可達(dá)4萬片12英寸晶圓。

據(jù)相關(guān)人士透露，在奠基儀式的邀請函中提到，ESMC的首座晶圓廠將代表“歐洲可持續(xù)半導(dǎo)體生產(chǎn)的新維度”。據(jù)悉，臺積電德國廠的順利推進(jìn)給歐洲半導(dǎo)體一些提振。目前因《歐盟芯片法案》補(bǔ)貼遲遲沒有進(jìn)展，加上電動汽車需求疲軟等因素影響，已有多家企業(yè)在德建廠計劃推遲。

此前英特爾宣布斥資170億歐元在德國馬格德堡（Magdeburg）建設(shè)一家尖端工廠的計劃已被推遲，而另一家美國芯片制造商Wolfspeed也已宣布，將德國薩爾州的恩斯多夫（Ensdorf）工廠的動工時間推遲到了2025年，現(xiàn)在則專注于在紐約的擴(kuò)張。

2022年《歐盟芯片法案》正式公布，目標(biāo)是到2030年，歐盟在全球芯片生產(chǎn)的份額將從目前的10%增加到20%。然而截至目前，根據(jù)法案歐盟委員會只批準(zhǔn)了兩份補(bǔ)貼的發(fā)放，正在建設(shè)的工廠也寥寥無幾。光刻機(jī)巨頭阿斯麥前首席執(zhí)行官溫寧克在今年年初在接受媒體采訪時表示，歐盟沒有足夠快的、建設(shè)生產(chǎn)的能力，想要實現(xiàn)到2030年將其在全球計算機(jī)芯片市場的份額提高到20%的目標(biāo)，“完全不現(xiàn)實”。

03
英特爾俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元！

7月29日，英特爾宣布計劃投資超過280億美元，在美國俄亥俄州利金縣建設(shè)兩座新的尖端制程晶圓廠。這相比英特爾最初計劃的200億美元投資金額提高了80億美元。

圖片來源：英特爾官網(wǎng)截圖

公開資料顯示，上述廠房早在2022年9月正式破土動工，目前英特爾俄亥俄州一號晶圓廠施工進(jìn)度正在穩(wěn)定推進(jìn)，有望在2026年實現(xiàn)量產(chǎn)據(jù)悉，英特爾俄亥俄州基地規(guī)模高達(dá)1,000英畝（約404公頃），足夠支持多達(dá) 8 個晶圓廠。這也為英特爾后續(xù)進(jìn)一步擴(kuò)建提供了便利條件。

英特爾官方消息顯示，作為俄亥俄州歷史上最大的單筆私營部門投資，該項目初始階段預(yù)計將創(chuàng)造3,000個英特爾就業(yè)崗位，在建設(shè)過程中創(chuàng)造7,000個建筑就業(yè)崗位，并為廣泛的供應(yīng)商和合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)中的數(shù)萬個額外的本地長期就業(yè)崗位提供支持。為了支持新基地的發(fā)展，英特爾承諾額外投入1億美元與教育機(jī)構(gòu)合作，建立人才渠道并支持該地區(qū)的研究項目。

近日，英特爾公布了今年二季度財報，該公司實現(xiàn)營收128億美元，同比下滑1%。當(dāng)季營運利潤下滑85%，至8300萬美元。凈虧損16億美元，上年同期盈利15億美元。作為本季財報亮點，英特爾PC業(yè)務(wù)營收增長9%至74億美元，抵消了數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)下滑的不利因素。

英特爾預(yù)計當(dāng)前財季的營收比市場分析師預(yù)期低了10%左右，毛利率比市場預(yù)期低了約25%，這意味著這家芯片巨頭的近期業(yè)績前景比市場預(yù)期的更低。英特爾CEO基辛格解釋說，第二季度利潤令人失望主要是因為公司在持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)品路線圖。而CFO辛斯納（David Zinsner）具體解釋說，這是因為公司在加速推進(jìn)AI PC產(chǎn)品，再加上非核心業(yè)務(wù)支出高于預(yù)期以及限制產(chǎn)能的相關(guān)費用。英特爾還提到，因為美國貿(mào)易政策的改變，導(dǎo)致芯片銷售下滑，并且影響還將繼續(xù)，第三季度也會因此受到負(fù)面影響。

英特爾的IDM 2.0戰(zhàn)略聲勢浩大，也注定了其資本支出的龐大。其近兩年不及預(yù)期的財報數(shù)據(jù)，使得市場對其晶圓代工計劃充滿質(zhì)疑。按照目前的規(guī)劃，英特爾今年資本支出高達(dá)250億-270億美元，明年繼續(xù)投資超過200億美元。

為了持續(xù)推進(jìn)IDM 2.0戰(zhàn)略，英特爾近期宣布了包括簡化產(chǎn)品組合、降低資本成本等一系列降低成本重大措施。

圖片來源：英特爾官網(wǎng)截圖

對于現(xiàn)狀，基辛格在分析師會議上解釋，自己還需要更多的時間來扭轉(zhuǎn)英特爾。“顯然未來還有很多的工作要做，重新打造標(biāo)志性的英特爾是巨大的工程，我們正在進(jìn)入新階段，將轉(zhuǎn)型工作轉(zhuǎn)化為可持續(xù)的經(jīng)濟(jì)模式。”

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)普爾的報告表示，英特爾的成本削減計劃或許可以緩解短期的現(xiàn)金流問題，但英特爾是否能夠維持業(yè)務(wù)競爭力，保持健康增長，依然是個未知數(shù)。

04
英飛凌居林廠即將迎來落成典禮

近日，英飛凌官方在“YouTube”平臺上發(fā)布視頻宣布，其位于馬來西亞居林的3號工廠即將在8月迎來晶圓廠落成典禮，官方稱這標(biāo)志著全球最大的200mm（8英寸）碳化硅（SiC）功率晶圓廠正式進(jìn)入投產(chǎn)倒計時。

圖片來源：英飛凌

公開資料顯示，英飛凌在馬來西亞居林的新晶圓廠計劃最初獲得了20億歐元的內(nèi)部資金支持，2023年中旬該廠又獲得了50億歐元的注資用于居林第三工廠的建設(shè)和設(shè)備。該工廠致力于打造全球最大的200毫米(8英寸)碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。據(jù)悉，第三廠區(qū)的擴(kuò)建計劃已經(jīng)得到了上汽、福特、奇瑞等長期客戶的約50億歐元（約合391億元人民幣）的design-win合同與10億歐元左右（約合78億元人民幣）的預(yù)付款。

目前，英飛凌和Wolfspeed都在爭奪全球最大的8英寸SiC晶圓廠的頭銜，但是都沒有披露具體產(chǎn)能。去年2月初，Wolfspeed宣布計劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的8英寸SiC器件制造工廠，這座歐洲工廠將與莫霍克谷器件工廠（已于2022年4月開業(yè)）、John Palmour SiC制造中心（即美國北卡羅來納州SiC材料工廠）一起，共同構(gòu)成Wolfspeed公司65億美元產(chǎn)能擴(kuò)張計劃的重要組成部分。近期行業(yè)最新消息顯示，Wolfspeed推遲了德國工廠的計劃。

除了英飛凌和Wolfspeed外，onsemi安森美在今年5月末宣布投資50億歐元在意大利卡塔尼亞建設(shè)世界首個全流程垂直集成的SiC工廠。據(jù)悉，意大利政府將在歐盟《芯片法案》框架內(nèi)向意法半導(dǎo)體提供20億歐元的補(bǔ)貼。該工廠將于2026年開始生產(chǎn)，并實現(xiàn)首創(chuàng)的8英寸SiC晶圓的量產(chǎn)，目標(biāo)是到2033年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，滿負(fù)荷生產(chǎn)時每周可生產(chǎn)多達(dá)15000片晶圓，年產(chǎn)能48萬片。

目前全球碳化硅晶圓從6英寸制造轉(zhuǎn)向8英寸已高度白熱化。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，整體而言，SiC正處于一個快速成長和高度競爭的市場，規(guī)模經(jīng)濟(jì)比任何其他因素更為重要。領(lǐng)先的IDM廠商紛紛一改過去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài)，轉(zhuǎn)而積極投資SiC擴(kuò)張計劃，期望建立領(lǐng)導(dǎo)地位。截至目前，全球已有超過10家廠商正在投資建設(shè)8英寸SiC晶圓廠?？梢灶A(yù)見，未來隨著市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，SiC領(lǐng)域的競爭也將更為激烈。