據美國商務部官網、SK海力士發(fā)布的聲明，當地時間8月6日，美國商務部和SK海力士已經簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄(PMT)。SK海力士將在美國印第安納州建立一個高帶寬內存(HBM)先進封裝制造和研發(fā)(R&D)設施。

基于《芯片和科學法案》，SK海力士可獲得高達4.5億美元的直接補助和至多5億美元的貸款。此外，SK海力士還計劃申請相當于合格資本支出 25% 的投資稅收抵免。

據了解，SK海力士于今年4月4日宣布，將在印第安納州西拉斐特投資38.7億美元，建造面向AI的存儲器先進封裝生產基地，同時與普渡大學等當地研究機構進行半導體研究和開發(fā)合作。西拉斐特生產基地將擁有一條下一代HBM內存封裝生產線，預計于2028年下半年開始量產。

SK海力士首席執(zhí)行官郭魯正表示，期待著建立一個新的AI技術中心，為印第安納州創(chuàng)造熟練的工作崗位，并幫助全球半導體行業(yè)建立一個更強大、更有彈性的供應鏈。