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DDR5與HBM業(yè)績(jī)亮眼,SK海力士2023財(cái)年第四季轉(zhuǎn)虧為盈

  • 發(fā)布時(shí)間:2024-01-26 17:53:40
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        憑借技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),并得益于需求復(fù)蘇和市況回升,SK海力士時(shí)隔1年實(shí)現(xiàn)季度業(yè)績(jī)扭虧為盈。

        2024年1月25日,SK海力士今日發(fā)布截至2023年12月31日的2023財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告。公司2023財(cái)年第四季度結(jié)合并收入為11.3055萬億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為0.3460萬億韓元,凈虧損為1.3795萬億韓元。2023財(cái)年第四季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為3%,凈虧損率為12%。

        隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市況迎來反彈,公司去年第四季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到0.3460萬億韓元,成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。由此,公司僅時(shí)隔一年擺脫了從2022年第四季度以來一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損。

SK海力士解釋道:

        去年第四季度用于AI服務(wù)器和移動(dòng)端的產(chǎn)品需求增長(zhǎng),平均售價(jià)(ASP,Average Selling Price)上升等存儲(chǔ)器市場(chǎng)環(huán)境有所改善。與此同時(shí),公司持續(xù)實(shí)施以盈利為主的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)發(fā)揮了效果,僅時(shí)隔一年實(shí)現(xiàn)了季度業(yè)績(jī)扭虧為盈。

        據(jù)此,公司減少了截至去年第三季度持續(xù)的累積營(yíng)業(yè)虧損規(guī)模。2023財(cái)年結(jié)合并收入為32.7657萬億韓元,營(yíng)業(yè)虧損為7.7303萬億韓元,凈虧損為9.1375萬億韓元。2023財(cái)年?duì)I業(yè)虧損率為24%,凈虧損率為28%。

SK海力士表示:

        去年在DRAM方面,公司以牽引市場(chǎng)的技術(shù)實(shí)力積極應(yīng)對(duì)了客戶需求,結(jié)果公司主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分別增長(zhǎng)4倍和5倍以上。另外,對(duì)于市況復(fù)蘇相對(duì)緩慢的NAND閃存,主要集中于投資和費(fèi)用的效率化。

        順應(yīng)高性能DRAM需求的增長(zhǎng)趨勢(shì),SK海力士將順利進(jìn)行用于AI的存儲(chǔ)器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā),同時(shí)將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時(shí)供應(yīng)于服務(wù)器和移動(dòng)端市場(chǎng)。而且,公司為了應(yīng)對(duì)持續(xù)增長(zhǎng)的AI服務(wù)器需求和端側(cè)AI的應(yīng)用普及,將為準(zhǔn)備高容量服務(wù)器模組MCRDIMM*和移動(dòng)端模組LPCAMM2**竭盡全力,由此持續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

        NAND閃存方面,公司決定通過以eSSD等高端產(chǎn)品為主擴(kuò)大銷售,改善盈利并加強(qiáng)內(nèi)部管理。

另外,SK海力士強(qiáng)調(diào):

        今年與去年一樣,通過以高附加值產(chǎn)品為主擴(kuò)大生產(chǎn),維持提升盈利能力和效率的政策,同時(shí)實(shí)現(xiàn)資本支出(CAPEX)的最小化,將注重于業(yè)務(wù)的穩(wěn)定運(yùn)營(yíng)。

        SK海力士財(cái)務(wù)擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)(CFO)金祐賢表示:

        盡管市場(chǎng)長(zhǎng)期低迷,但公司鞏固了在用于AI的存儲(chǔ)器等技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,并在去年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈,業(yè)績(jī)開始全面反彈。面對(duì)新的飛躍時(shí)期,公司將引領(lǐng)變革并提供為客戶定制的解決方案,成長(zhǎng)為“整合AI存儲(chǔ)器提供者”。

        *MCRDIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module):是將多個(gè)DRAM結(jié)合在一塊基板上的模組產(chǎn)品。模組的兩個(gè)基本信息處理運(yùn)算單位Rank同時(shí)操作,由此提升速度的產(chǎn)品。

        **LPCAMM2(Low Power Compression Attached Memory Module 2):是基于LPDDR5X的模組解決方案產(chǎn)品,具備了以一顆LPCAMM2取代兩顆現(xiàn)有DDR5 SODIMM的性能效果,既節(jié)省空間又實(shí)現(xiàn)低功耗和高性能特性。

THE END

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