三星或已試產(chǎn)第二代3納米芯片,力拼良率超過(guò)60%
- 發(fā)布時(shí)間:2024-01-22 17:41:32
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韓媒《朝鮮日?qǐng)?bào)》(Chosun)引述業(yè)界人士的話表示,三星已開始制造第二代3納米制程(SF3)試制品,并測(cè)試芯片性能和可靠性,目標(biāo)是6個(gè)月力拼良率超過(guò)60%。
臺(tái)積電、三星都在積極爭(zhēng)取客戶,準(zhǔn)備上半年量產(chǎn)第二代3納米GAA架構(gòu)制程,能否滿足Nvidia、高通、AMD等大客戶需求,同時(shí)迅速提高產(chǎn)量,是競(jìng)爭(zhēng)中能否成功的關(guān)鍵。
三星正測(cè)試 SF3 試制芯片的性能和可靠性,首款產(chǎn)品將搭載即將推出的 Galaxy Watch 7 應(yīng)用處理器(AP),預(yù)計(jì)用在 Galaxy S25 系列 Exynos 2500 芯片。
如果SF3產(chǎn)量和性能穩(wěn)定,轉(zhuǎn)向臺(tái)積電的客戶將有機(jī)會(huì)回流,例如三星就相當(dāng)關(guān)注與高通的合作。后者在新一代 Snapdragon 8 Gen 3 中與臺(tái)積電合作生產(chǎn)。此外,Nvidia H200、B100和AMD MI300X預(yù)計(jì)也將采臺(tái)積電3納米制程。
三星去年11月宣布,將于2024下半年量產(chǎn)SF3制程,雖然《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道未獲三星回復(fù),但從時(shí)間看推測(cè)相當(dāng)合理。不過(guò),報(bào)道提到芯片良率 60%,但沒(méi)提到晶體管數(shù)量、芯片尺寸、性能、功耗及其他規(guī)格。
此外,智能手表應(yīng)用處理器、手機(jī)芯片和數(shù)據(jù)中心處理器的芯片尺寸、性能和功耗目標(biāo)完全不同。小型芯片如果良率只有 60%,要商用相當(dāng)困難,但若是光罩尺寸(reticle size)的芯片良率為 60%,就相當(dāng)合理。
“鈀銀焊盤”,它是一種采用鈀銀合金制成的焊盤
AD PCB封裝轉(zhuǎn)Allegro封裝或AD PCB轉(zhuǎn)Allegro PCB的過(guò)程
PCB(Printed Circuit Board)layout是指在設(shè)計(jì)印制電路板的過(guò)程中,對(duì)電子元器件及導(dǎo)電路徑進(jìn)行
從PCB制造工藝參數(shù)到Altium Designer(AD)規(guī)則設(shè)置的過(guò)程,是確保PCB設(shè)計(jì)滿足生產(chǎn)工藝要求的關(guān)鍵步驟。
PCB板的電感量,也即電感器(Inductor)的電感量,是表示電感器產(chǎn)生自感應(yīng)能力的一個(gè)物理量
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