一.貼片電容

貼片電容全稱：多層（積層，疊層）片式陶瓷電容器，也稱為貼片電容，片容。 英文縮寫： MLCC 。

1.品牌 ： 日系： TDK 、村田（ MURATA ）、京瓷（ Kyocera）、太陽誘電（ TAIYO YUDEN ）、 松下（ Panasonic）、羅姆（ ROHM ）、KOA （KOA Speer Electronics.Inc ） 臺系：國巨（ YAGEO ）、華科（ WALSIN ） 韓系：三星（ Samsung） 國產(chǎn)：風(fēng)華（ FH ）、宇陽 (E YANG)

2.主要參數(shù)： 容值 電壓 誤差 材質(zhì)（精度） 尺寸

3.各個參數(shù)詳解：

①.容值

容值的算法 常用容值單位： UF 、 NF 、 PF (微法、 納法、 皮法 ) 容值都為千進制（以上前者為后者的 1000 倍）

如： 1,000PF =1NF =102 =0.001UF 10,000PF =10NF =103 =0.01UF 100,000PF =100NF =104 =0.1UF

另注： 5PF = 509 用二位數(shù)字表示有效數(shù)字，再用一個字母表示數(shù)值的量級。 如： 1p2 表示 1.2pF, 220n 表 示 0.22uF，3u3 表示 3.3uF, 2m2表示 2200uF。 另一種表示法， 是用三位數(shù)字表示電容量， 最后用一個字母表示誤差。 三位數(shù)字中的前兩 位表示有效值，第三位表示 10的 n 次方， n 一般為 1—8。

特殊情況是：當(dāng) n=9 時，不表 示 10 的 9 次方，而表示為 10 的 -1 次方。

例如： “102”表示 10*100=1000pF “223”表示 22*1000=22000pF=0.022uF “474”表示 47*10000=0.47uF “159”表示 15*0.1=1.5pF

②.電壓

各個品牌電容的電壓表示方法各不相同。 系列電壓有 6.3V、10V、16V、 25V、50V、100V、200V、500V、1000V、編輯版 word 2000V、3000V、 4000V

③.誤差

電容的容值誤差通常用字符表示： 第一種，絕對誤差，通常以電容量的值的絕對誤差表示，以 PF 為單位， 即：B 代表± 0.1PF C、代表± 0.25PF D、代表± 0.5PF Y，代表± 1PF，A 代表 ± 1.5PF,V代表± 5PF。這種表達方式通常用于小容量電容器。

第二種，相對誤差，以電容量標稱值的偏差百分數(shù)表示， 即：D 代表± 0.5% ， P代表± 0.625%F、代表± 1%，R 代表± 1.25% G，代表± 2%，U 代表± 3.5% ， J 代表± 5%，K 代表± 10%，M 代表± 20%，S 代表± 50%/-20%、Z 代表 ± 80%/-20%。

④.材質(zhì)

貼片電容的材料常規(guī)分為四種： NPO， X7R，X5R，Y5V

1、NPO 此種材質(zhì)電性能最穩(wěn)定，幾乎不隨溫度，電壓和時間的變化而變化，適用于低損 耗，穩(wěn)定性要求高的高頻電路。

容量精度在 5％左右，但選用這種材質(zhì)只能做容量較小的， 常規(guī) 100PF 以下。 100PF-1000PF 也能生產(chǎn)但價格較高 NPO 是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、 釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO 電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。 在溫度從 -55℃到 125℃時容量 變化為 0± 30ppm/ ℃，電容 量隨頻率的變化小于± 0.3 Δ C。 NPO 電容的漂移或滯后小于 ± 0.05% ，相對大于± 2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽 命的變化小于± 0.1% 。NPO 電容 器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的 特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。

下表給出了 NPO 電容器可選取的容量范圍。

封裝 500T=50V;101T=100V

020110—100P

08050.5—1000pF0.5—820pF

12060.5—1200pF0.5—1800pF

1210560—5600pF560—2700pF

NPO 電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

2、X7R 此種材質(zhì)比 NPO 穩(wěn)定性差，但容量做的比 NPO 的材料要高，容量精度在 10％左 右。編輯版 word X7R 電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在 -55℃到 125℃時其容量 變化為 15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。

X7R 電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而 變化，大約每 10年變化 1%Δ C，表現(xiàn)為 10 年變化了約 5%。 X7R 電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時其容量變化是 可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。

下表給出了 X7R 電容器可選取的容量范圍。

封裝 500T=50V;101T=100V

0201 120pF—820pF

0805 1200pF—0.056 μ F 330pF —0.012 μF

1206 1000pF—0.15 μ F 1000pF —0.047 μF

1210 1000pF—0.22 μ F 1000pF —0.1 μF

3、X5R X5R 的意思就是該電容的正常工作溫度為 -55°C~+85 °C，對應(yīng)的電容容量變化 為± 15%。

4、Y5V 此類介質(zhì)的電容，其穩(wěn)定性較差，容量偏差在 20％左右，對溫度電壓較敏感，但這 種材質(zhì)能做到很高的容量，而且價格較低，適用于溫度變化不大的電路中 Y5V 電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器， 在-30℃到 85℃范圍內(nèi)其容量變化 可達 +80%到-20%。

Y5V 的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達 4.7 μF電容器。

Y5V 電容器的取值范圍如下表所示

封裝 250T=25V;500T=50V

02010.01 μF—0.39 μ F0.01 μF

08050.01 μF—0.39 μ F0.01—μF0.1 μF

12060.01 μF—1μ F0.01 —μF0.33 μF

12100.1 μF—1.5 μ F0.01—μF0.47 μF

Y5V 電容器的其他技術(shù)指標如下 : 工作溫度范圍 -30℃—85℃ 溫度特性 +22%—–82% 介質(zhì)損耗最大 5% 一般精度是和材料相對應(yīng)的，如： 5%用 J表示，對應(yīng) NPO 材料； 10%用 K 表示，對應(yīng) X7R 材料， X5R 材料的精度一般在± 10%—± 20%之間； Z 檔對應(yīng)的一般是 Y5V 材料。

⑤.尺寸 電容尺寸一般用兩種尺寸代碼來表示。一種尺寸代碼是由 4 位數(shù)字表示的 EIA( 美國電子 工業(yè)協(xié)會 )代碼，前兩位與后兩位分別表示電容的長與寬，以英寸為單位。另一種是米制代 碼，也由 4 位數(shù)字表示，其單位為毫米。

下表為電容英制和米制表示法之間的關(guān)系：

英制 (mil) 公制 (mm) 長(L)(mm) 寬(W)(mm) 高(t)(mm) a(mm) b(mm)

0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23± 0.05 0.10±0.05 0.15±0.05

0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30± 0.10 0.20±0.10 0.25±0.10

0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40± 0.10 0.30±0.20 0.30±0.20

0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50± 0.10 0.40±0.20 0.40±0.20

1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55± 0.10 0.50±0.20 0.50±0.20

1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55± 0.10 0.50±0.20 0.50±0.20

1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55± 0.10 0.50±0.20 0.50±0.20

2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55± 0.10 0.60±0.20 0.60±0.20

2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55± 0.10 0.60±0.20 0.60±0.20

二、 貼片電阻

貼片電阻 (SMD Resistor),是金屬玻璃 鈾電阻器中的一種。 是將金屬粉和玻璃鈾粉混合， 采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上制成的電阻器。耐潮濕， 高溫， 溫度系數(shù)小。 1、品牌 日系： KOA 臺系：國巨（ YAGEO ）、華科（ WALSIN ） 國產(chǎn)：風(fēng)華（ FH ）、厚聲、旺銓

2、主要參數(shù) ： 阻值 精度 尺寸

3.各個參數(shù)詳解：

(1).阻值

阻值的基本單位是Ω 1000Ω=1K Ω 貼片電阻阻值誤差精度有± 1％、± 2％、± 5％、± 10％精度，常規(guī)用的最多的是± 1％和± 5％， ±5％精度的常規(guī)是用三位數(shù)來表示例 例 512，前面兩位是有效數(shù)字，第三位數(shù) 2 表示 有多少個零，基本單位是Ω ,這樣就是 5100歐，1000Ω＝1KΩ,1000000Ω=1M Ω 為了區(qū)分± 5％，± 1％的電阻，于是± 1％的電阻常規(guī)多數(shù)用 4 位數(shù)來表示 ， 這樣前三位是表示有效數(shù)字， 第四位表示有多少個零 4531也就是 4530Ω，也就等于 4.53K Ω

(2).精度

一般 以阻值標稱值的偏差百分數(shù)來表示， 即：D 代表± 0.5%P，代表± 0.625% 、 F 代表± 1%，R 代表± 1.25% ，G 代表± 2%，U 代表± 3.5% ，J代表± 5%，K 代 表± 10%，M 代表± 20%，S代表± 50%/-20%、Z 代表± 80%/-20%。

(3).尺寸

基本與電容尺寸規(guī)格相同，可參考電容尺寸規(guī)格。 電阻尺寸一般用兩種尺寸代碼來表示。一種尺寸代碼是由 4 位數(shù)字表示的 EIA( 美國電 子工業(yè)協(xié)會 )代碼，前兩位與后兩位分別表示電阻的長與寬，以英寸為單位。另一種是米制代碼，也由 4 位數(shù)字表示，其單位為毫米。

下表為電阻英制和米制表示法之間的關(guān)系：

英制 (mil) 公制 (mm) 長(L)(mm) 寬(W)(mm) 高(t)(mm) a(mm) b(mm)

0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23± 0.05 0.10±0.05 0.15±0.05

0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30± 0.10 0.20±0.10 0.25±0.10

0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40± 0.10 0.30±0.20 0.30±0.20

0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50± 0.10 0.40±0.20 0.40±0.20

1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55± 0.10 0.50±0.20 0.50±0.20

1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55± 0.10 0.50±0.20 0.50±0.20

1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55± 0.10 0.50±0.20 0.50±0.20

2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55± 0.10 0.60±0.20 0.60±0.20

2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55± 0.10 0.60±0.20 0.60±0.20