2021年全球集成電路、面板、LED用光刻機出貨約650臺，較2020年增加70臺。其中集成電路制造用光刻機出貨約500臺；面板、LED用光刻機出貨約150臺。 
 
 
一、前三大出貨情況 
 
 
2021年，前三大ASML、Nikon、Canon的集成電路用光刻機出貨達478臺，較2020年的413臺增加65臺，漲幅為15%+。 
 
從EUV、ArFi、ArF三個高端機型的出貨來看，2020年共出貨152臺，較2020年的143臺增長6%+。其中ASML出貨145臺，占有95.4%的市場，較2019年增加10.4個百分點；Nikon出貨7臺，占有4.6%的市場，較2020年15%減少10.4個百分點。 

EUV方面還是ASML獨占鰲頭，市占率100%；ArFi方面ASML市占率高達96%，較2020年增加10個百分占；ArF方面ASML占有88%的市場份額，較2020年增加21個百分點；KrF方面ASML也是占據(jù)75%的市場份額，較2020年增加4個百分點；在i線方面ASML也有21%+的市場份額。 

從總營收來看，2021年前三大ASML、Nikon、Canon的光刻機總營收達1076億元人民幣，較2020年小幅增長8.9%。從營收占比來看，ASML占據(jù)80%的份額。 

ASML 

2020年ASML光刻機營收約854億元人民幣，較2020年成長32%。 

2021年ASML共出貨309臺光刻機，較2020年258年增加51臺，增長20%。其中EUV光刻機出貨42臺，較2020年增加11臺；ArFi光刻機出貨81臺，較2020增加13臺；ArF光刻機出貨22臺，和2018年持平；KrF光刻機出貨131臺，較2020年增加23臺；i-line光刻機出貨33臺，和2020年33臺基本持平。 

2021年ASML的EUV光刻機營收占光刻機整體收入的48%，2021年單臺EUV平均售價超過9.5億元人民幣，較2020年單臺平均售價增長3%。 

從2011年出售第一臺EUV機臺以來，截止2021年第四季出貨達143臺。2021年EUV光刻機共加工晶圓超過3300萬片，超過2011-2020年的總和。 

2021年第二季，第一臺全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻機已經(jīng)交付給客戶，相比之前的NXE:3400C生產(chǎn)力提高了15-20%，套刻精度提高約30%。 

2020年來自中國的光刻機收入約140億元，和2020年持平，與中國大陸晶圓廠擴產(chǎn)的步驟基本一致。  

Nikon 

2021年度，Nikon光刻機業(yè)務(wù)營收約112億元人民幣。 

2021年度，Nikon集成電路用光刻機出貨29臺，較2020年減少4臺。其中ArFi光刻機出貨4臺，較2020年減少7臺 ；ArF光刻機出貨3臺，較2020年度減少8臺；KrF光刻機出貨5臺，較2020年度增加3臺；i-line光刻機出貨17臺，較2020年度增加8臺。 

2021年度，Nikon全新機臺出貨9臺，翻新機臺出貨20臺。 

2021年，Nikon面板（FPD）用光刻機出貨49臺，較2020年大幅增漲145%。其中10.5代線用光刻機出貨，共出貨17臺。 

Canon 

2021年，Canon光刻機營收約為110億元人民幣。 

2021年，Canon的半導體用光刻機是i-line、KrF兩類機臺出貨，光刻機出貨量達140臺，較2020年出貨增加18臺，增幅15%；其中i-line機臺是出貨的主力，出貨102臺。 

佳能在2021年3月出貨新式i線步進式光刻機“FPA-3030i5a”，可以對硅基以及SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等化合物半導體晶圓，從而實現(xiàn)多種半導體器件的生產(chǎn)制造。。 

2021年，Canon面板（FPD）用光刻機出貨67臺，較2020年出貨量增加35臺。 

二、其他公司情況 

其他光刻機、電子束曝光機、激光直寫設(shè)備廠商還包括上海微電子、蘇大維格、芯碁微裝、影速，日本Elionix、德國Heidelberg Instruments、德國Raith、德國SUSS、美國ABM、奧地利EVG、美國VEECO、英國DMO、英國NanoBeam（NBL）、日本JEOL、以色列Orbotech（屬于美國KLA）等。 

這些公司有的主要針對集成電路先進封裝、MEMS、LED、面板，有的針對PCB領(lǐng)域，有的針對掩模領(lǐng)域，有的主要是針對高?？蒲袡C構(gòu)。 

上海微電子SMEE 

上海微電子裝備（集團）股份有限公司光刻機主要用于廣泛應用于集成電路前道、先進封裝、FPD、MEMS、LED、功率器件等制造領(lǐng)域出貨主要集中在先進封裝、LED和FPD領(lǐng)域。 

2021年9月18日，宣布推出新一代大視場高分辨率先進封裝光刻機，主要應用于高密度異構(gòu)集成領(lǐng)域，具有高分辨率、高套刻精度和超大曝光視場等特點，可幫助晶圓級先進封裝企業(yè)實現(xiàn)多芯片高密度互連封裝技術(shù)的應用，滿足異構(gòu)集成超大芯片封裝尺寸的應用需求，同時將助力封裝測試廠商提升工藝水平、開拓新的工藝，在封裝測試領(lǐng)域共同為中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更多的貢獻。據(jù)悉2022年2月7日中國首臺2.5D/3D先進封裝光刻機發(fā)運。2022年2月，美國商務(wù)部工業(yè)與安全局宣布上海微電子裝備（集團）股份有限公司列入“未經(jīng)核實清單”。 

三、納米壓印技術(shù)發(fā)展 

1995年，華人科學家周郁（Stephen Chou）教授首次提出納米壓印（Nanoimprint Lithography，NIL）概念，從此揭開了納米壓印制造技術(shù)的研究序幕。 

納米壓印技術(shù)首先通過接觸式壓印完成圖形的轉(zhuǎn)移，相當于光學曝光技術(shù)中的曝光和顯影工藝過程，然后利用刻蝕傳遞工藝將結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到其他任何材料上。納米壓印技術(shù)將現(xiàn)代微電子加工工藝融合于印刷技術(shù)中，克服了光學曝光技術(shù)中光衍射現(xiàn)象造成的分辨率極限問題，展示了超高分辨率、高效率、低成本、適合工業(yè)化生產(chǎn)的獨特優(yōu)勢，從發(fā)明至今，一直受到學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的高度重視。 

佳能（Canon）從2004年開始一直秘密研發(fā)納米壓印技術(shù)；直到2014年收購美國從事納米壓印基礎(chǔ)技術(shù)研發(fā)的Molecular Imprints公司（現(xiàn)Canon Nanotechnologies公司）才公開。 

最新的納米壓印（NIL）的參數(shù)指標不錯，套刻精度為2.4nm/3.2nm，每小時可曝光超過100片晶圓。 

據(jù)悉，納米壓?。∟IL）已經(jīng)達到3D NAND的要求，2017年7月日本3D NAND大廠鎧俠（Kioxia，原東芝存儲部門）已經(jīng)開始使用此設(shè)備。在3D NAND之外 也可以滿足1Anm DRAM的生產(chǎn)需求。 

佳能和大日本印刷（DNP）、鎧俠合作，在技術(shù)研發(fā)中NIL已經(jīng)可以處理高達5nm的電路線寬。大日本印刷通過模擬測試發(fā)現(xiàn)，在形成電路過程中每個晶圓的功耗僅為使用EUV光刻的十分之一左右。 

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