金屬-氧化物半導(dǎo)體場效晶體管簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。在電源設(shè)計中，MOSFET往往是最容易被工程師忽視的電子元器件。

MOSFET是電源設(shè)計中必不可少的一種電子元器件，大部分工程師對MOSFET的使用普遍停留在MOSFET元器件的一些基本參數(shù)，比如Vds，Id，Rds（on），零件封裝。但其實MOSFET元器件還有許多重要的參數(shù)需要嚴(yán)謹(jǐn)思考和確認(rèn)，包括Ciss，Coss，EAS，Ptot，Trr，SOA，Crss等參數(shù)。這些參數(shù)對電源產(chǎn)品的性能，穩(wěn)定性，壽命都有極其重要的影響和作用。

MOSFET的主要參數(shù)

1、VDS，即漏源電壓，這是MOSFET的一個極限參數(shù)，表示MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓值。需要注意的是，這個參數(shù)是跟結(jié)溫相關(guān)的，通常結(jié)溫越高，該值最大。

2、RDS（on），漏源導(dǎo)通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導(dǎo)通時，漏源極之間的導(dǎo)通電阻。這個參數(shù)與MOSFET結(jié)溫，驅(qū)動電壓Vgs相關(guān)。在一定范圍內(nèi)，結(jié)溫越高，Rds越大;驅(qū)動電壓越高，Rds越小。

3、Id，漏極電流，漏極電流通常有幾種不同的描述方式。這個參數(shù)同樣是MOSFET的一個極限參數(shù)，但此最大電流值并不代表在運(yùn)行過程中漏極電流能夠達(dá)到這個值。它表示當(dāng)殼溫在某一值時，如果MOSFET工作電流為上述最大漏極電流，則結(jié)溫會達(dá)到最大值。所以這個參數(shù)還跟器件封裝，環(huán)境溫度有關(guān)。

4、RDS（ON），是場效應(yīng)管FET漏極D與源極S之間導(dǎo)通時D、S之間的電阻，ON表示導(dǎo)通。

5、Qg，柵極電荷，是在驅(qū)動信號作用下，柵極電壓從0V上升至終止電壓（如15V）所需的充電電荷。也就是MOSFET從截止?fàn)顟B(tài)到完全導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動電路所需提供的電荷，是一個用于評估MOSFET的驅(qū)動電路驅(qū)動能力的主要參數(shù)。

6、Eoss，輸出容能量，表示輸出電容Coss在MOSFET存儲的能量大小。由于MOSFET的輸出電容Coss有非常明顯的非線性特性，隨Vds電壓的變化而變化。

7、Vgs，柵源極最大驅(qū)動電壓，這也是MOSFET的一個極限參數(shù)，表示MOSFET所能承受的最大驅(qū)動電壓，一旦驅(qū)動電壓超過這個極限值，即使在極短的時間內(nèi)也會對柵極氧化層產(chǎn)生永久性傷害。

8、Ciss/Coss/Crss

Ciss=Cgs+Cgd此為截止?fàn)顟B(tài)下閘極輸入電荷容量包括Gate端至source端和+Gate端至Drain端之和。

Coss=Cds+Cgd此為Drain端至Source端電荷容量之和，也可以說是寄生二極管逆偏壓容量。

Crss=Cgd此為Gate端至Drain端的電荷容量，此參數(shù)對于高頻切換動作影響較大。

9、SOA，安全工作區(qū)，每種MOSFET都會給出其安全工作區(qū)域，不同雙極型晶體管，功率MOSFET不會表現(xiàn)出二次擊穿，因此安全運(yùn)行區(qū)域只簡單從導(dǎo)致結(jié)溫達(dá)到最大允許值時的耗散功率定義。

10、BUDS，漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。

11、PDSM，最大耗散功率。也是一項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。